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TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)

TC Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)通過利用自主研發(fā)的核心技術將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導體制造過程提供...

TC Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)通過利用自主研發(fā)的核心技術將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面,實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關鍵的工藝參數(shù)。

【應用范圍】

物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設備、晶圓臨時鍵合、涂膠顯影 TRACK 設備、 加熱板、加熱盤

【產品優(yōu)勢】

1. 1200℃耐高溫測量:熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度,TC Wafer適合用于監(jiān)控在極端溫度條件下進行的半導體制造過程。

2. 溫度精確實時監(jiān)測:TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準確溫度數(shù)據(jù)。

3. 詳細溫度分布圖:通過在晶圓上布置多個點來收集溫度數(shù)據(jù),TC Wafer能夠提供整個晶圓的溫度分布情況,幫助識別不均勻加熱或冷卻的問題。

4. 瞬態(tài)溫度跟蹤:TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動態(tài),如升溫、降溫、恒溫過程以及延遲時間等關鍵參數(shù)的變化,為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

5. 支持過程控制與優(yōu)化:持續(xù)監(jiān)控晶圓在熱處理過程中的溫度變化有助于工程師調整工藝參數(shù),提高生產效率并確保產品質量。

6. 適用于多種晶圓尺寸:TC Wafer的設計使其能夠適用于不同直徑的晶圓,包括2英寸和大至12英寸的晶圓,滿足各種制造需求。

【參數(shù)配置】

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